Samsungs neueste SSD bringt uns zurück zum PCIe-Gen4-Standard. Die Samsung SSD 990, erhältlich in 1 TB- und 2 TB- Ausführung, soll mit einer Mischung aus 990 EVO Plus und QLC-NAND für Effizienz hinsichtlich des Preis-/Leistungsverhältnis sorgen. Ob diese Rechnung aufgeht und die Kombination überzeugt, schauen wir uns in unserem Artikel genau an.
Mit dem Modell 990, ohne Pro-Zusatz, bringt Samsung eine SSD auf den Markt, die eine andere Ausrichtung verfolgt, verglichen mit den Tests der letzten Zeit. Es handelt sich um eine SSD, welche nicht den Rekorden nachjagen, sondern so schnell wie nötig, aber dafür effizient sein soll. Daher wird aktueller Samsung-NAND verwendet, der in der hier getesteten Konfiguration gegenüber der Samsung 990 Pro bis zu 38 % sparsamer sein soll. Typische Anwendungsfälle wären hier also Geräte, die von einer M.2-SSD profitieren oder eine selbige mit mehr Speicherplatz benötigen, jedoch nur über eine Gen-4-Schnittstelle verfügen. Bei Spielekonsolen oder auch Laptops spielen die Effizienz, und mit einem besonderen Blick auf die Gen-5-Modelle auch der Kühlungsaufwand, eine nicht zu unterschätzende Rolle. Hier könnte man, wenn Samsung die Umsetzung erfolgreich vollzogen hat, eine interessante Nische besetzen. Ähnlich wie bei den Festplatten, bei welchen ältere Kapazitäten mit neuer Technologie aktualisiert wurden.
In seiner Dokumentation macht Hersteller Samsung keine Angaben zum verwendeten Controller. Beschriftet ist er mit 94LY028, A3KON424, 2420 ARM, PICCOLOQ. Es handelt sich um die Samsung PiccoloQ, einen ARM-32Bit Cortex-R8 mit zwei Cortex-R5-Kernen, produziert in 5 nm. Dieser Controller ist speziell für den HMB-Betrieb (Host-Memory-Buffer) ausgelegt, welcher ohne dedizierten DRAM-Cache auf der SSD arbeitet.
Auch der verwendete NAND wird von Samsung nur als V-NAND bezeichnet. Beschriftet ist er mit 543, SEC, FCKD, K9XVGY8J5D. Das V an der vierten Stelle verrät uns, dass es sich hierbei um 4-Bit-QLC-NAND von Samsung handelt. Genauer gesagt QLC-NAND der neunten Generation, wie das Y an der siebten Stelle anzeigt. Dieser ist kostengünstiger herzustellen, jedoch auch weniger leistungsstark, wie sich bereits beim Temperaturtest zeigen wird.
HerstellerSamsungModellSSD 990, MZ‑V9V1T0Kapazität1 TBZwischenspeicherNein, HMBControllerSamsungVerwendete Speicherzellen Samsung V-NAND (QLC)Bestückungsarteinseitigsequenzielle Transferrate (Lesen / Schreiben)7.150 MB/s / 6.450 MB/sAnschlussartPCIe 4.0 x4 NVMeTotal Bytes Written (TBW)400 TBBetriebstemperaturbereich0 °C bis 70 °Celektrische Leistungsaufnahme lt. Hersteller4,0W (R), 3,7 W (W), 3 – 55 mW (Idle)MTBF1,5 Millionen StundenGarantie3 Jahre GarantieUVPkeine Angabe