![\"\"](\"https:\/\/images.frandroid.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/samsung-semiconductors-ufs-50-solution-main2.jpg\")
<\/a><\/p>\nSamsung<\/a> d\u00e9voile la premi\u00e8re solution de stockage UFS 5.0<\/a>. Con\u00e7ue pour r\u00e9pondre aux exigences de l\u2019intelligence artificielle en local, cette nouvelle g\u00e9n\u00e9ration de m\u00e9moire flash double les d\u00e9bits par rapport \u00e0 la g\u00e9n\u00e9ration pr\u00e9c\u00e9dente tout en r\u00e9duisant la consommation \u00e9nerg\u00e9tique et les dimensions physiques. Elle est en cours de production et devrait \u00e9quiper les futurs smartphones haut de gamme<\/a> d\u00e8s le d\u00e9but de l\u2019ann\u00e9e 2027.<\/p>\n Des d\u00e9bits doubl\u00e9s pour \u00e9liminer les goulets d\u2019\u00e9tranglement<\/p>\n Selon Jangseok Choi, responsable de la planification des produits de m\u00e9moire chez Samsung Electronics : \u00ab \u00c0 l\u2019\u00e8re de l\u2019IA sur l\u2019appareil, les composants de stockage \u00e9voluent pour devenir un moteur cl\u00e9 d\u00e9finissant les exp\u00e9riences d\u2019IA. \u00bb De fait, ces d\u00e9bits \u00e9lev\u00e9s visent \u00e0 acc\u00e9l\u00e9rer le traitement local des mod\u00e8les de langage \u00e9tendus (LLM).<\/p>\n En pratique, l\u2019UFS 5.0 atteint une vitesse de lecture s\u00e9quentielle maximale de 10,8 Go\/s et une vitesse d\u2019\u00e9criture s\u00e9quentielle atteignant 9,5 Go\/s. \u00c0 titre de comparaison, la g\u00e9n\u00e9ration pr\u00e9c\u00e9dente, l\u2019UFS 4.1, affiche une vitesse de lecture de 4,3 Go\/s et d\u2019\u00e9criture de 4,3 Go\/s. Les vitesses sont donc plus que doubl\u00e9es avec la nouvelle g\u00e9n\u00e9ration.<\/p>\n Attention, on parle ici d\u2019op\u00e9rations s\u00e9quentielles. Les performances en IOPS (op\u00e9rations d\u2019entr\u00e9e-sortie par seconde) pourraient ne pas progresser dans les m\u00eames proportions, ce qui limiterait le gain per\u00e7u par l\u2019utilisateur final sur certaines t\u00e2ches sp\u00e9cifiques.<\/p>\n Une efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique en hausse dans un format miniature<\/p>\n Au-del\u00e0 des d\u00e9bits bruts, Samsung annonce aussi une am\u00e9lioration de l\u2019efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique de l\u2019ordre de 40 % par rapport \u00e0 l\u2019UFS 4.1, \u00e0 performances de lecture \u00e9quivalentes. Ce gain s\u2019appuie sur l\u2019introduction de plusieurs innovations techniques, notamment le \u00ab clock gating \u00bb (blocage d\u2019horloge) et des technologies multi-tensions. Cela permet de r\u00e9duire les d\u00e9penses \u00e9nerg\u00e9tiques superflues lors des transferts de donn\u00e9es volumineux.<\/p>\n<\/a><\/p>\n