Hirdetés
A Samsung a jelek szerint újabb nagy lépést tett a rendkívül magas rétegszámú 3D NAND flash lapkák felé, a vállalat ugyanis elkészítette első, 900 rétegű V-NAND prototípusát. A megoldás érdekessége, hogy nem egyetlen, extrém magasra épített cellahalomból áll, hanem az ETNews információi szerint az úgynevezett Cell Multi-Bonding (CMB) eljárással két, egyenként 450 rétegű cellastacket kapcsoltak össze egyetlen eszközzé. Elméletben a magasabb rétegszám nagyobb bitsűrűséget, illetve nagyobb kapacitású háttértárakat (például SSD-ket) alapozhat meg, a kliens és vállalati szegmensben egyaránt.
A 900 réteg eléréséhez a gyártástechnológiai oldalról több problémát is kezelni kellett. A cikk szerint az egyik fő gond a wafer deformációja volt, amit egy úgynevezett Upper Chuck Design bevezetésével oldottak meg, míg az illesztési pontatlanságokat Overlay Correction jellegű korrekciós technikákkal igyekeztek csökkenteni.
A piaci verseny közben nem állt meg: a rétegszámhajszában a forrás alapján az SK Hynix jelenleg 321 rétegű NAND flashmemóriával számít éllovasnak, miközben 400 réteg körüli fejlesztések is futnak. Emellett a kínai YMTC is gyorsít, és már 232, illetve 294 rétegű NAND flash megoldásokat kínálnak, miközben új gyártókapacitásokkal próbálják csökkenteni a lemaradást.
Fontos, hogy a Samsung 900+ rétegű, kombinált megoldása egyelőre prototípus fázisban van, tehát nem jelenti azt, hogy rövidebb távon megjelenik tömegtermelésben. A forrás emellett azt is megemlíti, hogy az 1000 rétegű V-NAND céldátuma nagyjából 2030-ra eshet, a 400+ rétegű fejlesztések pedig már a következő években érkezhetnek.