SK hynix zbuduje ledwie ułamek obiecanych fabryk do 2028 roku, a pozew o zmowę cenową robi się coraz poważniejszy

Bank of America podważa jeden z najgłośniej nagłaśnianych planów przemysłowych ostatnich miesięcy, czyli zapowiedź prezydenta Korei Południowej o podwojeniu krajowych mocy produkcyjnych pamięci DRAM do 2030 roku. Nowe analizy, bazujące częściowo na źródłach z tajwańskiego przemysłu półprzewodnikowego, pokazują, że fabryki mające powstać w Gwangju i Prowincji Cholla Południowa potrzebują znacznie więcej czasu niż zakładano.

Zapowiadane przez Koreę Południową podwojenie mocy produkcyjnych pamięci DRAM do 2030 roku okazuje się w świetle analizy Bank of America mocno naciągane. SK hynix może uruchomić do 2028 roku zaledwie jedną szóstą pierwotnie planowanych nowych mocy.

Pozew zbiorowy przeciwko Samsungowi, SK hynix i Micronowi. Pytania o sztuczne ograniczanie podaży DDR4 i DDR5

Z wyliczeń Bank of America wynika, że po uwzględnieniu strat wynikających z wygaszania starszych linii produkcyjnych, a także efektów przechodzenia na nowsze procesy technologiczne realny wzrost dostępnych mocy produkcyjnych DRAM w Korei Południowej może wynieść poniżej 10 proc. rocznie. To mniej niż około 15-procentowe tempo sugerowane przez zapowiedzi prezydenta Lee Jae-myunga. Tajwańscy dostawcy podzespołów wskazują, że SK hynix do 2028 roku uruchomi zaledwie część pierwotnie planowanych nowych zdolności produkcyjnych. Tylko prace budowlane przy fabrykach w Gwangju i Prowincji Cholla Południowa mają potrwać około pięciu lat, a przygotowanie clean roomów, jak również instalacja specjalistycznych maszyn kolejne trzy-cztery lata. Pełne uruchomienie nowych mocy może więc zająć niemal dekadę.

Firma Micron ogłosiła przekazanie 250 milionów dolarów na rządowy program wsparcia dzieci Trump Accounts

Bank of America szacuje obecną miesięczną produkcję SK hynix na 589 tys. płytek krzemowych, podczas gdy Samsung osiąga około 691 tys. sztuk. Do 2028 roku SK hynix ma jednak zwiększyć wolumen o 38 proc., a Samsung o 17,5 proc., co pozwoli zmniejszyć różnicę między producentami. Micron przyjął inną strategię, gdyż przeznaczone 9,3 mld dolarów (około 36,8 mld zł) na rozbudowę fabryki HBM (pamięci o wysokiej przepustowości wykorzystywanej w akceleratorach AI) w Hiroszimie mają przynieść efekty już za dwa lata. Firma modernizuje istniejący zakład, zamiast budować nową fabrykę od podstaw. Jednocześnie rośnie presja ze strony Chin. Bernstein prognozuje, że CXMT może do 2028 roku osiągnąć około 19 proc. globalnego rynku DRAM, a YMTC około 11 proc. segmentu NAND. Opóźnienia inwestycyjne mogą utrudnić argumentację Samsunga, SK hynix i Microna w pozwie zbiorowym złożonym 25 czerwca w Kalifornii. Firmy zostały w nim oskarżone o domniemaną zmowę cenową na podstawie ustawy Shermana. Rynek zareagował nerwowo już na zapowiedź koreańskiego planu zwiększenia produkcji pamięci, akcje Microna spadły w ciągu tygodnia o 15 proc., Kioxii o 10 proc., a SanDisk stracił niemal jedną piątą wartości.

Źródło: CTEE, WCCFtech, Yahoo