TSMC inwestuje 28,6 mld dolarów w trzy kolejne fabryki 2 nm w Tajwanie. Produkcja ma ruszyć już w 2026 roku

TSMC nie zwalnia tempa w wyścigu o dominację na rynku najbardziej zaawansowanych chipów. Debiut technologii 3 nm (N3) był głośnym tematem, a tajwański gigant rzuca na stół kolejną, potężną kartę. Mowa o inwestycji, czyli budowie trzech nowych, gigantycznych zakładów produkcyjnych, dedykowanych wyłącznie litografii 2 nm (N2). Ten ruch to coś więcej niż zwykłe zwiększanie mocy. To strategiczne uderzenie, które ma zabezpieczyć firmę na całe lata jako światowego lidera.

Inwestycja TSMC w trzy dodatkowe fabryki N2, wykorzystująca przełomową architekturę GAAFET, to strategiczna i gigantyczna odpowiedź na wykupioną moc produkcyjną, umacniająca dominację Tajwańczyków na lata.

Tajwański urzędnik ujawnia, że potężna inwestycja TSMC w USA to strategia powstrzymania wsparcia dla Intela

TSMC potwierdziło doniesienia o planach budowy trzech dodatkowych fabryk w Tajwanie, które dołączą do już powstających centrów w Hsinchu i Kaohsiung. Łączna wartość tego przedsięwzięcia sięga oszałamiających 900 mld nowych dolarów tajwańskich, co w przybliżeniu przekłada się na około 28,6 mld dolarów amerykańskich. Taka sumaryczna mobilizacja kapitału w sektorze high-end nie ma sobie równych i jest bezpośrednią odpowiedzią na gigantyczny popyt, który już teraz wyprzedał niemal całą pierwotną zdolność produkcyjną N2 aż do roku 2026. Głównym motorem tego szaleństwa, co nie jest zaskoczeniem, pozostaje Apple, które podobno zarezerwowało dla siebie ponad połowę początkowych wafli.

Procesory i karty graficzne będą droższe. TSMC podniesie ceny wafli w zaawansowanych litografiach

Kluczową zmianą w technologii N2 jest porzucenie architektury tranzystorów FinFET (której TSMC było wierne aż do 3 nm) na rzecz Gate-All-Around (GAAFET), w nomenklaturze TSMC znanej jako Nanosheet. Wyobraźmy sobie FinFET jako drogę, po której ruch (prąd) może przechodzić tylko trzema stronami. GAAFET to niczym tunel, w którym bramka (gate) otacza przewodnik z każdej strony (360 stopni), dając inżynierom niespotykaną kontrolę nad przepływem elektronów. Ta zmiana pozwala na zwiększenie gęstości tranzystorów (o około 15 proc. względem N3E), ale przede wszystkim zapewnia znaczący skok w wydajności energetycznej. O 10-15 proc. wyższa wydajność przy tym samym poborze mocy lub 25-30 proc. mniejsze zużycie energii przy tej samej wydajności.

TSMC Fab 21 w Arizonie produkuje układy NVIDIA Blackwell w procesie 4 nm. Czy to koniec zależności od Tajwanu?

Co to oznacza dla użytkownika? W skrócie zyskamy laptopy działające dłużej i smartfony, które się nie grzeją aż tak bardzo pod obciążeniem, a przy tym oferujące lepszą responsywność i moc w zadaniach AI, które stają się coraz bardziej wymagające. Z perspektywy rynku, dodatkowe fabryki TSMC mają umożliwić osiągnięcie miesięcznej zdolności produkcyjnej rzędu 100 000 – 120 000 wafli rocznie, co jest niezwykle istotne dla firm projektujących układy dla AI, high-endowych CPU i GPU. Zyskać mogą zatem wszyscy.

Źródło: Liberty Times Net, The Chosun Daily, Wccftech