A Samsung revelou um avanço tecnológico que poderá mudar o futuro do armazenamento nos nossos dispositivos. Esta inovação promete aumentar drasticamente a capacidade da memória, reduzindo ao mesmo tempo o consumo energético a níveis nunca antes vistos.
Samsung com uma eficiência energética sem precedentes
A gigante sul-coreana anunciou o desenvolvimento de uma nova memória baseada em transístores ferroelétricos, conhecidos como FeFETs. De acordo com um estudo partilhado na conceituada revista Nature, esta tecnologia permite incrementar a capacidade de armazenamento sem que isso represente um maior consumo de energia – um dos maiores desafios da arquitetura de memórias atual.
O aspeto mais impressionante deste avanço é a sua extraordinária eficiência. Nos primeiros testes realizados pelos investigadores da Samsung, as novas memórias demonstraram uma redução no consumo energético que pode chegar aos 96% quando comparadas com a tecnologia NAND convencional, atualmente utilizada na maioria dos dispositivos eletrónicos.
O segredo por detrás desta eficiência reside numa camada ferroelétrica de háfnio dopada com zircónio. Este material permite que as células de memória mantenham os seus estados estáveis sem a necessidade de aplicar uma voltagem de passo elevada, um requisito das memórias atuais.
Consequentemente, a tecnologia não só exige muito menos eletricidade, como também minimiza os “distúrbios de leitura/passo”, o que se traduz numa melhor retenção de dados e maior durabilidade do componente.
Em termos de densidade, os FeFETs conseguem armazenar até 5 bits por célula, mantendo uma estabilidade igual ou superior à da tecnologia NAND. Os investigadores sublinham ainda que o consumo energético se mantém residual mesmo em estruturas empilhadas (3D) ou com comprimentos de canal curtos, resolvendo um dos principais obstáculos do armazenamento multinível, que exige voltagens de passo elevadas para funcionar.
O impacto no seu próximo telemóvel e no mercado
Embora os detalhes técnicos possam parecer complexos, as implicações para o utilizador final são bastante claras. Atualmente, nas memórias NAND flash, um aumento da capacidade de armazenamento está diretamente ligado a um maior consumo energético.
A nova abordagem da Samsung com os FeFETs quebra este paradigma, permitindo criar dispositivos com muito mais espaço sem sacrificar a autonomia da bateria.
É expectável que esta tecnologia venha a ser implementada na próxima geração de dispositivos móveis e servidores. A sua chegada ocorre num momento crucial, visto que a Samsung enfrenta uma elevada procura por memórias devido à explosão da inteligência artificial (IA).
Relatórios indicam que a empresa tem tido dificuldades em satisfazer a procura por chips para servidores de IA, o que poderá levar a um aumento de preços entre 2026 e 2027.
Contudo, é crucial moderar as expectativas. Para já, não foram revelados prazos para o desenvolvimento comercial das memórias baseadas em FeFETs. Antes de se ponderar uma produção massiva, este avanço tecnológico terá de ser submetido a testes rigorosos para garantir que oferece a estabilidade e o desempenho que os utilizadores esperam das memórias NAND atuais.
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