Créditos: Reprodução | WCCFtech
O momento está chegando: espera-se que o chip Exynos 2700 da Samsung utilize o processo SF2P e adote uma arquitetura lado a lado (SBS), reposicionando a memória RAM ao lado do sistema em chip (SoC) por meio do empacotamento Fan-out Wafer Level Packaging (FOWLP).
Essa mudança de layout, combinada a um dissipador de calor mais refinado, projeta um salto de 30% a 40% na largura de banda de memória.
O que a arquitetura lado a lado muda no gerenciamento térmico do Exynos 2700
O Exynos 2600 já havia dado um salto geracional ao incorporar um dissipador de calor inovador, chamado Heat Path Block (HPB), diretamente dentro do chip.
A solução em cobre melhorou consideravelmente a estabilidade térmica do componente, mas o layout ainda seguia um modelo empilhado: a RAM ficava sobre o SoC e o HPB repousava sobre a RAM. Essa configuração, embora eficiente, retinha calor entre as camadas do sanduíche.
No Exynos 2700, a Samsung planeja reposicionar a RAM ao lado do SoC e integrar ambos no nível do wafer usando a tecnologia FOWLP. Com o HPB assentado diretamente sobre o SoC e a RAM, o calor deixa de ficar aprisionado entre os componentes, resultando em melhorias materiais na estabilidade térmica do chip.
Como o empacotamento FOWLP impulsiona a largura de banda de memória
Posicionar a RAM ao lado do SoC encurta as interconexões elétricas, reduzindo a distância física que os dados precisam percorrer. Esse ganho se traduz em um aumento estimado de 30% a 40% na largura de banda de memória, ao mesmo tempo em que eleva a eficiência energética do conjunto.
A Samsung fabricará o Exynos 2700 no processo SF2P. A litografia é a versão de última geração do processo Gate-All-Around (GAA) de 2 nanômetros já utilizado pelo Exynos 2600. Em relação ao nó SF2 da geração anterior, o SF2P projeta um aumento de 12% no desempenho bruto e uma redução de 25% no consumo total de energia.
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Transistor GAA e o controle eletrostático nas litografias de 2 nanômetros
O Gate-All-Around é uma arquitetura de transistor 3D em que a porta envolve completamente o canal, composto por nanofolhas empilhadas verticalmente, por todos os quatro lados.
Essa abordagem melhora o controle eletrostático e reduz a tensão de limiar, permitindo maior densidade de desempenho sem expandir o consumo energético.
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Em análise técnica dos dados disponíveis, o Exynos 2600 já entrega maior estabilidade térmica do que o Snapdragon 8 Elite Gen 5 da Qualcomm.
Com a transição para a arquitetura SBS, o empacotamento FOWLP e o dissipador HPB reposicionado, a liderança térmica que a Samsung apresenta sobre a concorrente tende a aumentar com a chegada do próximo chip.
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Fonte: WCCFtech
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