{"id":168734,"date":"2025-11-28T21:50:10","date_gmt":"2025-11-28T21:50:10","guid":{"rendered":"https:\/\/www.europesays.com\/pt\/168734\/"},"modified":"2025-11-28T21:50:10","modified_gmt":"2025-11-28T21:50:10","slug":"mais-espaco-96-menos-energia","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.europesays.com\/pt\/168734\/","title":{"rendered":"mais espa\u00e7o, 96% menos energia"},"content":{"rendered":"<p>A Samsung revelou um avan\u00e7o tecnol\u00f3gico que poder\u00e1 mudar o futuro do armazenamento nos nossos dispositivos. Esta inova\u00e7\u00e3o promete aumentar drasticamente a capacidade da mem\u00f3ria, reduzindo ao mesmo tempo o consumo energ\u00e9tico a n\u00edveis nunca antes vistos.<\/p>\n<p style=\"text-align: center;\"><a target=\"_blank\" href=\"https:\/\/pplware.sapo.pt\/wp-content\/uploads\/2025\/07\/samsung_galaxy_z_fold7_7.jpg\" onclick=\"refreshIframe()\" class=\"foobox\" rel=\"nofollow noopener\"><img fetchpriority=\"high\" decoding=\"async\" src=\"https:\/\/www.europesays.com\/pt\/wp-content\/uploads\/2025\/11\/samsung_galaxy_z_fold7_7-1024x576.jpg\" alt=\"Samsung Galaxy Z Fold7 Z Flip7 dobraveis\" width=\"720\" height=\"405\" class=\"alignnone size-large wp-image-1067267\"  \/><\/a><\/p>\n<p>Samsung com uma efici\u00eancia energ\u00e9tica sem precedentes<\/p>\n<p>A gigante sul-coreana anunciou o desenvolvimento de uma nova mem\u00f3ria baseada em trans\u00edstores ferroel\u00e9tricos, conhecidos como FeFETs. De acordo com um <a target=\"_blank\" href=\"https:\/\/www.nature.com\/articles\/s41586-025-09793-3\" rel=\"nofollow noopener\">estudo<\/a> partilhado na conceituada revista Nature, esta tecnologia permite incrementar a capacidade de armazenamento sem que isso represente um maior consumo de energia &#8211; <strong>um dos maiores desafios da arquitetura de mem\u00f3rias atual<\/strong>.<\/p>\n<p>O aspeto mais impressionante deste avan\u00e7o \u00e9 a sua extraordin\u00e1ria efici\u00eancia. Nos primeiros testes realizados pelos investigadores da Samsung, as novas mem\u00f3rias demonstraram uma redu\u00e7\u00e3o no consumo energ\u00e9tico <strong>que pode chegar aos 96% quando comparadas com a tecnologia NAND convencional<\/strong>, atualmente utilizada na maioria dos dispositivos eletr\u00f3nicos.<\/p>\n<p>O segredo por detr\u00e1s desta efici\u00eancia reside numa camada ferroel\u00e9trica de h\u00e1fnio dopada com zirc\u00f3nio. Este material permite que as c\u00e9lulas de mem\u00f3ria mantenham os seus estados est\u00e1veis sem a necessidade de aplicar uma voltagem de passo elevada, <strong>um requisito das mem\u00f3rias atuais<\/strong>.<\/p>\n<p>Consequentemente, a tecnologia n\u00e3o s\u00f3 exige muito menos eletricidade, como tamb\u00e9m minimiza os &#8220;dist\u00farbios de leitura\/passo&#8221;, o que se traduz numa melhor reten\u00e7\u00e3o de dados <strong>e maior durabilidade do componente<\/strong>.<\/p>\n<p>Em termos de densidade, os FeFETs conseguem armazenar at\u00e9 5 bits por c\u00e9lula, mantendo uma estabilidade igual ou superior \u00e0 da tecnologia NAND. Os investigadores sublinham ainda que o consumo energ\u00e9tico se mant\u00e9m residual mesmo em estruturas empilhadas (3D) ou com comprimentos de canal curtos, resolvendo um dos principais obst\u00e1culos do armazenamento multin\u00edvel,<strong> que exige voltagens de passo elevadas para funcionar<\/strong>.<\/p>\n<p style=\"text-align: center;\"><a target=\"_blank\" href=\"https:\/\/pplware.sapo.pt\/wp-content\/uploads\/2025\/08\/samsung_wallet00.jpg\" onclick=\"refreshIframe()\" class=\"foobox\" rel=\"nofollow noopener\"><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" src=\"https:\/\/www.europesays.com\/pt\/wp-content\/uploads\/2025\/11\/samsung_wallet00-1024x576.jpg\" alt=\"\" width=\"720\" height=\"405\" class=\"alignnone size-large wp-image-1071573\"  \/><\/a><\/p>\n<p>O impacto no seu pr\u00f3ximo telem\u00f3vel e no mercado<\/p>\n<p>Embora os detalhes t\u00e9cnicos possam parecer complexos, as implica\u00e7\u00f5es para o utilizador final s\u00e3o bastante claras. Atualmente, nas mem\u00f3rias NAND flash, um aumento da capacidade de armazenamento <strong>est\u00e1 diretamente ligado a um maior consumo energ\u00e9tico<\/strong>.<\/p>\n<p>A nova abordagem da Samsung com os FeFETs quebra este paradigma, permitindo criar dispositivos com muito mais espa\u00e7o <strong>sem sacrificar a autonomia da bateria<\/strong>.<\/p>\n<p>\u00c9 expect\u00e1vel que esta tecnologia venha a ser implementada na pr\u00f3xima gera\u00e7\u00e3o de dispositivos m\u00f3veis e servidores. A sua chegada ocorre num momento crucial, visto que a Samsung enfrenta uma elevada procura por mem\u00f3rias devido \u00e0 explos\u00e3o da intelig\u00eancia artificial (IA).<\/p>\n<p>Relat\u00f3rios indicam que a empresa tem tido dificuldades em satisfazer a procura por chips para servidores de IA, o que poder\u00e1 levar a um <a target=\"_blank\" href=\"https:\/\/www.reuters.com\/world\/china\/samsung-hikes-memory-chip-prices-by-up-60-shortage-worsens-sources-say-2025-11-14\/\" rel=\"nofollow noopener\">aumento de pre\u00e7os<\/a> entre 2026 e 2027.<\/p>\n<p>Contudo, \u00e9 crucial moderar as expectativas. Para j\u00e1, n\u00e3o foram revelados prazos para o desenvolvimento comercial das mem\u00f3rias baseadas em FeFETs. Antes de se ponderar uma produ\u00e7\u00e3o massiva, este avan\u00e7o tecnol\u00f3gico ter\u00e1 de ser submetido a testes rigorosos <strong>para garantir que oferece a estabilidade e o desempenho<\/strong> que os utilizadores esperam das mem\u00f3rias NAND atuais.<\/p>\n<p>\u00a0<\/p>\n<p><strong>Leia tamb\u00e9m:<\/strong><\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"A Samsung revelou um avan\u00e7o tecnol\u00f3gico que poder\u00e1 mudar o futuro do armazenamento nos nossos dispositivos. 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