Miercuri, 03 Decembrie 2025, ora 23:31<\/p>\n
360 citiri<\/p>\n
Un brevet devenit recent public dezv\u0103luie o metod\u0103 prin care Huawei<\/a> ar putea fabrica cipuri de 2 nm folosind doar litografie DUV, o tehnologie<\/a> considerat\u0103 deja dep\u0103\u0219it\u0103, dar singura la care China mai are acces dup\u0103 sanc\u021biunile impuse de SUA \u0219i alia\u021bii lor.<\/p>\n Brevetul, depus \u00eenc\u0103 din 2022 \u0219i descoperit de cercet\u0103torul Frederick Chen, descrie o tehnic\u0103 de modelare multipl\u0103 ultra-avansat\u0103 capabil\u0103 s\u0103 ating\u0103 un pas metalic de 21 nm, apropiind astfel rezultatul final de performan\u021bele nodurilor de 2 nm ale TSMC \u0219i Samsung<\/a>. Diferen\u021ba major\u0103? Gigan\u021bii globali folosesc sistemele EUV ale ASML, echipamente pe care Huawei \u0219i produc\u0103torul s\u0103u SMIC nu le pot ob\u021bine \u00een nicio circumstan\u021b\u0103.<\/p>\n SAQP: re\u021beta Huawei pentru a transforma tehnologia \u201eveche\u201d \u00een arm\u0103 strategic\u0103<\/p>\n Metoda propus\u0103 de Huawei este un flux extrem de optimizat de tip Self-Aligned Quadruple Patterning (SAQP). Pe scurt, procesul reduce num\u0103rul de expuneri DUV la doar patru, mult sub nivelul obi\u0219nuit pentru litografia multipl\u0103 la scar\u0103 nanometric\u0103. Prin \u00eempingerea la limit\u0103 a ceea ce pot oferi utilajele DUV, Huawei \u00eencearc\u0103 ceea ce restul industriei nici nu mai consider\u0103 practic: atingerea nodurilor avansate f\u0103r\u0103 EUV.<\/p>\n Teoretic, aceast\u0103 abordare ar putea permite companiei s\u0103 sar\u0103 direct de la actualele cipuri Kirin 9030 la genera\u021bia 2 nm, ocolind bariera tehnologic\u0103 impus\u0103 de sanc\u021biunile americane.<\/p>\n